会议专题

2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第十届固态和集成电路技术国际会议 ICSICT-2010)

总文献量: 633篇会议类型: 国际会议会议地点: 上海主办单位: IEEE北京分会会议日期: 2010-11-01
文章浏览

Performance Elements for 28nm Gate Length Bulk Devices with Gate First High-k Metal Gate

J. Yuan Y.T. Chow K. Stein L. Y.Song H. Onoda C. W. An H. Wang B. K. Moon J. Kim H. Inokuma H. Yamasaki C. Gruensfelder J. Shah H.V. Meer S. B. Samavedam Q. T.Zhang C. Zhu Y. Park Y. E. Lim R. Nieuwenhuizen J. Chen J. P. Han K. Y. Lim M. Hamaguchi W.L. Lai M. P. Belyansky O. Gluschenkov S. Johnson R. Divakaruni E. F.Kaste J. Sudijono J. H. Ku F. Matsuoka T. Wallner W. Neumueller R. Sampson M. Sekine A. Steegen M. K. Jung M. J. Sherony Y. M. Lee J. Chen C. W. Lai