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第六届全国固体薄膜学术会议

总文献量: 96篇会议类型: 国内会议会议地点: 成都主办单位: 中国电子学会会议日期: 1998-09-01

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UHV／CVD生长Si 1-xGe x／Si合金锗偏聚的研究*

MOCVD法生长AIGaAs的组分控制研究

3C-SiC薄膜的红外特性研究★

uHv／cvD法生长sice／si异质结研究

金属--P型金刚石肖特基势垒性能

江关辉

碲镉汞薄膜的MOVPE生长和特性

王静宇刘朝旺

半绝缘InP掩埋1．55um激光器

离子注入SOI-SIMOX薄膜的表面电学性能

卢殿通

Si(100)衬底上Ge单晶层的UHV／CVD生长

于卓雷震霖

非晶金刚石簿膜光电性质及场致电子发射特性的研究

佘峻聪陈军

用霍尔测量的方法对UHV-CVD生长的GeSi／Si材料迁移率的测量与分析

王丽陈培毅

金刚石薄膜制备过程中的等离子体检测

马玉蓉郭骅

PCIV法在GaN载流子浓度测试中的应用

汪雷卢焕明

稳定非晶硅薄膜的结构特征

孔光临吴跃

电沉积氧化镍钻电致变色薄膜材料其双层膜的研究*

低温Si-GSMBE中Si 2H 6的热裂解过程

电子束蒸镀Y 2O 3-ZrO 2减反射膜用于1．3um半导体激光器*

含氟体系金刚石簿膜生长的热力学研究

刘志杰张卫

硅基GaN外延层透射电镜高分辨像分析

张昊翔王宇

基于硅化物和化学镀的自对准金属化工艺

周进盛柏林