用霍尔测量的方法对UHV-CVD生长的GeSi／Si材料迁移率的测量与分析

摘要：

该文对UHV-CVD方法生长的GeSi／Si异质结材料的迁移率与生长条件的关系做了研究。文章首先介绍了GeSi外延的生长，然后对测量结果做了分析。测试表明，研究人员所生长的GeSi／Si外延测量在迁移率及晶格质量方面已达到一定要求；选择适当的生长温度，控制外延生长厚度在临界厚度内，可望获得较高的迁移率。

关键词： 霍尔测量 UHV GeSi/Si材料 迁移率

作者: 王丽 陈培毅

作者单位: 大学微电子所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 184～186

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）