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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
总文献量: 213篇
会议类型: 国内会议
会议地点: 大连
主办单位: 中国电子学会
会议日期: 1999-09-01
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用CMP技术减小多晶硅表面的粗糙度
欧文
双层金属布线工艺通孔侧壁生成物对策
饶祖刚 路红刚
多晶硅薄膜应力和应力梯度控制研究
张国炳 郝一龙 孙玉秀 陈文茹 王铁松
3英寸N<111>区熔中照硅单晶微缺陷的研究
梁洪 王向东 邹新俊
PAI+LEI形成适用于深亚微米MOS器件中SD Extension区超浅结的工艺研究
殷华湘 高文方 索俊生 徐秋霞
用于双层多晶硅双极晶体管中的复合介质层L型侧墙形成技术
金海岩 高玉芝 冯国进 王铁松 马连荣 张维
半导体紫外传感器-EBD-和ZY-09型紫外辐射照度计
李秀琼 杜波
关于薄栅二氧化硅击穿模型的比较研究
谭长华 许铭真
步内建模法在实际微波动率器件瞬态热模拟中的应用
张鸿欣
双栅MOSFET的研究
周小茵 杨雪莹 赵立新 李兵
基于IP的八位MCU设计
李志谦 袁国顺 陈潮枢 姜明哲 李素杰 曾声瑜
一种高精度电压频率转换器的设计
万天才
多层薄膜固相处延CoSi<,2>反应动力学研究
屈新萍 茹国平 李炳譤 吴卫军
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