用于双层多晶硅双极晶体管中的复合介质层L型侧墙形成技术

摘要：

该文给出了Ｅ－Ｂ之间复合介质层Ｌ型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性。

关键词： 双层多晶硅 双极晶体管 复合介质层

作者: 金海岩 高玉芝 冯国进 王铁松 马连荣 张维

作者单位: 大学微电子研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 314～317

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）