关键词： 深亚微米MOS器件 超浅结 离子注入
作者: 殷华湘 高文方 索俊生 徐秋霞
作者单位: 科学院微电子中心一室
会议类型: 国内会议
会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议地点: 大连
会议语种:中文
页码: 294～297
在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）