用CMP技术减小多晶硅表面的粗糙度

摘要：

通过对Ｐｏｌｙ－Ｓｉ ＣＭＰ工艺各参数的优化，采用Ｐａｄ ＵＲ－１００，Ｓｌｕｒｒｙ Ｎａｌｃｏ ２３６０，Ｔａｂｌｅ ｓｐｅｅｄ８０ＲＰＭ，Ｃａｒｒｉｅｒ Ｓｐｅｅｄ ５０ＲＰＭ，Ｄｏｗｎ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ２ｐｓｉ，Ｓｌｕｒｒｙ ｆｌｏｗ ｒａｔｅ ２００ｍｌ／ｍｉｎ的条件获得了表面粗糙度３５Ａ的好结果。

关键词： 粗糙度(Roughness) CMP 多晶硅

作者: 欧文

作者单位: 科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 244～247

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）