会议专题

第十一届全国MOCVD学术会议

总文献量: 28篇会议类型: 国内会议会议地点: 苏州主办单位: 中国有色金属学会会议日期: 2010-01-13

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氮化物垂直腔央发射激光器

张保平张江勇蔡丽娥胡晓龙余金中王启明

中国MOCVD技术在LED领域的发展现状及展望

董志江

采用MOCVD技术在GaN衬底上生长p型GaP薄膜的研究

周天明李述体范广涵孙慧卿周昕妹董海平王立辉张康卢太平

铱薄膜的MOCVD沉积效果研究

蔡宏中胡昌义陈力王云

MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究

杜国同赵涧泽孙景昌李硕石李长鸣陈睿姝夏小川赵旺李香萍朱慧超马艳董鑫张宝林梁红伟

GaN MOCVD控制系统设计与研制

冉军学王晓亮胡国新张露殷海波肖红领李晋闽

氮化物材料与光电器件若干基本问题的探索研究

范广涵

电磁加热的MOCVD反应室温度场的仿真与优化

李志明郝跃张进成

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