采用MOCVD技术在GaN衬底上生长p型GaP薄膜的研究

摘要：

采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及P型GaP层进行了研究。通过优化生长条件，在GaN上生长出了单晶GaP薄膜，其(111)X射线衍射半高宽为408弧秒。以Cp2Mg为掺杂剂，对p型GaP的掺杂生长进行了研究，在GaN上获得了空穴浓度为4.4×1018cm-3，迁移率为8.6cm2N·S的p型GaP单晶膜。

关键词： GaN衬底 p型GaP薄膜 金属有机化学气相淀积 X射线衍射 原子力显微镜

作者: 周天明 李述体 范广涵 孙慧卿 周昕妹 董海平 王立辉 张康 卢太平

作者单位: 广州LED研发基地,华南师范大学,广东广州,510631 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国MOCVD学术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 75-79

在线出版日期: 2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）