氮化物垂直腔央发射激光器
通过攻克蓝宝石衬底剥离，优化增益区设计等关键技术，在我国大陆首次实现了宽禁带氮化物垂直腔面发射激光器的激射，光泵激射条件下所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。该成果为进一步研制实用化电注入氮化物面发射激光器奠定了重要的基础。本文采用了两组介质膜DBR以及InGaN量子阱光增益区，通过优化蓝宝石衬底的激光剥离工艺，优化增益区设计和高反射率DBR的制作工艺，研制了GaN基VCSEL，并于2008年在室温光泵条件下观察到了激射，所得器件重要性能指标达到了国际先进水平。
氮化物激光器 激光剥离工艺 介质膜 光泵激射
张保平 张江勇 蔡丽娥 胡晓龙 余金中 王启明
厦门大学物理系 厦门大学萨本栋微纳米技术研究中心 厦门大学物理系 中国科学院半导体研究所集成光电子学联合国家重点实验室
国内会议
苏州
中文
10-11
2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）