VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术

摘要：

圆片级可靠性（WLR）评估技术由于其所花时间短，成本低，对工艺改进指导及时，已成为器件可靠性研究的热点。本文将针对VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术进行研究，分析了氧化膜失效理论，推导出了斜坡式电压与恒压应力间的关系式，给出了利用斜坡式电压测试结果，推算器件氧化膜平均寿命（TDDB）的方法。

关键词： VLSI 栅氧 圆片级可靠性

作者: 夏增浪 张东明 葛岩 李荫波 赵元富

作者单位: 北京微电子技术研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 嘉峪关

会议语种:中文

页码: 27-31

在线出版日期: 1999-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）