大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展

摘要：

集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序.随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。

关键词： 集成电路芯片 大尺寸硅片 背面磨削 自旋转磨削

作者: 康仁科 郭东明 霍风伟 金洙吉

作者单位: 大连理工大学机械工程学院,辽宁,大连,116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003中国集成电路产业发展战略研讨会暨中国半导体行业协会IC分会年会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 78-83,95

在线出版日期: 2003-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）