低剂量率下双极晶体管的电离辐射效应
在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且纵向NPN管比PNP管严重.本文对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨,并讨论了双极器件的抗辐射加固技术.
低剂量率 电离辐射 双极晶体管 抗辐射加固
尹雪梅 师谦 李斌 何玉娟 刘远
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610;华南理工大学微电子研究所,广州,510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610 华南理工大学微电子研究所,广州,510640
国内会议
福建武夷山
中文
319-323
2006-10-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)