等离子体工艺对MOS器件的损伤

摘要：

目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入超深亚微米工艺时代.随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流.等离子体工艺引起的栅氧化膜损伤越来越受重视,它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能.本文讨论了等离子体工艺损伤的形成机理及减少天线效应的几种措施.最后提出了目前有待于进一步研究的问题.

关键词： 等离子体工艺 可靠性 MOS器件

作者: 唐瑜 孟志琴

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会

会议地点: 福建武夷山

会议语种:中文

页码: 314-318

在线出版日期: 2006-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）