会议专题

90nm~65nm MOSFET总剂量效应的ISE仿真研究

本文利用ISETCAD仿真软件,对90nm nMOSFET和pMOSFET的辐照总剂量效应进行仿真.从关态电流、阈值电压、跨导和亚阈斜率的变化来分析总剂量效应对90nm器件的影响.并分析了不同的剂量率下器件性能的变化,进而提出一种新的对于小尺寸器件Si/SiO2界面模型,很好地解释了仿真结果.

总剂量效应 剂量率 MOSFET 器件性能

孟志琴 唐瑜 曹艳荣 李永坤

西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

国内会议

中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会

福建武夷山

中文

297-302

2006-10-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)