ESD保护器件GGNMOS的理论建模
本文完整地提出了ESD应力下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型;且进一步探讨了二次击穿附近的建模(包括几种击穿点温度的确定方法和电热耦合模拟),展望了关于二次击穿附近建模的研究方向.
ESD应力 GGNMOS 电热效应 二次击穿
刘瑶 姚若河 罗宏伟 李永坤
华南理工大学物理与科学技术学院微电子系,广州,510640;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610 华南理工大学物理与科学技术学院微电子系,广州,510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610
国内会议
福建武夷山
中文
285-291
2006-10-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)