会议专题

ESD保护器件GGNMOS的理论建模

本文完整地提出了ESD应力下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型;且进一步探讨了二次击穿附近的建模(包括几种击穿点温度的确定方法和电热耦合模拟),展望了关于二次击穿附近建模的研究方向.

ESD应力 GGNMOS 电热效应 二次击穿

刘瑶 姚若河 罗宏伟 李永坤

华南理工大学物理与科学技术学院微电子系,广州,510640;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610 华南理工大学物理与科学技术学院微电子系,广州,510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610

国内会议

中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会

福建武夷山

中文

285-291

2006-10-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)