偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响

摘要：

辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关.本文采用10KeV X射线对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于NMOSFET而言,ON偏置条件是最劣偏置条件,OFF偏置条件是最优偏置条件.

关键词： NMOS器件 总剂量辐射 辐射偏置

作者: 何玉娟 师谦 罗宏伟 章晓文 李斌 刘远

作者单位: 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610 华南理工大学微电子研究所,广州,510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州,510610;华南理工大学微电子研究所,广州,510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会

会议地点: 福建武夷山

会议语种:中文

页码: 280-284

在线出版日期: 2006-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）