HEMT器件2DEG沟道退化相关机理研究

摘要：

本文概述了高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构特性,研究了HEMT器件2DEG沟道退化的相关机理,主要包括界面态密度和离子扩散两个方面,阐述了器件性能退化与这两种机理的关系,为HEMT器件可靠性的进一步研究做了铺垫.

关键词： 电子迁移率晶体管 可靠性 器件性能退化

作者: 崔晓英 黄云

作者单位: 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 信息产业部电子第五研究所,广州,510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会

会议地点: 福建武夷山

会议语种:中文

页码: 275-279

在线出版日期: 2006-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）