同一基片上制作两种薄膜方阻的电阻研究

摘要：

本文介绍了在同一个薄膜基片上,用Cr·SiO材料制作高方阻电阻,用NiCr、Cr·SiO并联的方法制作小方阻电阻.通过实验及可靠性考核,制出了高精度、高可靠性的具有双方阻结构的混合集成电路薄膜电阻成膜基片.

关键词： 薄膜集成电路 混合集成 成膜基片 电路结构

作者: 魏文彦

作者单位: 中国航天时代电子公司第771研究所,西安,710054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国混合集成电路学术会议

会议地点: 安徽黄山

会议语种:中文

页码: 135-139

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）