厚层聚酰亚胺介质层制备及湿法刻蚀工艺研究

摘要：

本文通过对聚酰亚胺材料的选择、旋涂工艺控制解决了厚层聚酰亚胺(PI)介质层的制备难题,制备的厚层介质厚度为11±1μm.通过控制NaOH溶液浓度和温度的方法实现了厚层介质的湿法刻蚀,蚀刻边缘坡度为10°左右.

关键词： 微波电路 有机介质 聚酰亚胺 湿法刻蚀

作者: 戴敏 刘刚 王从香

作者单位: 中国电子科技集团公司第14研究所,南京,210013

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国混合集成电路学术会议

会议地点: 安徽黄山

会议语种:中文

页码: 131-134

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）