厚膜PTC电阻烧结工艺的研究

摘要：

本文研究了厚膜PTC电阻的电性能随烧结工艺的变化规律,确定了在不同的烧结制度下的最佳烧结峰值温度，比较了两种烧结工艺条件下烧结的厚膜PTC电阻性能的差异。结果表明：厚膜PTC电阻对烧结温度敏感,随着烧结峰值温度上升,方阻Rs下降,电阻温度系数TCR上升，烧结工艺条件决定了厚膜PTC电阻的电性能。

关键词： 厚膜电路 厚膜电阻 烧结工艺

作者: 唐珍兰 胡君遂 堵永国 张为军 郑晓慧

作者单位: 国防科技大学材料工程与应用化学系,长沙,410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国混合集成电路学术会议

会议地点: 安徽黄山

会议语种:中文

页码: 345-350

在线出版日期: 2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）