TH-E:MOS器件可靠性寿命综合模拟软件

摘要：

该文中描述了一种典型的MOSFET可靠性模拟软件，软件中不仅包括针对N型和P型MOSFET器件中热载流子效应、TDDB效应以及电迁移效应的单一机理软件件模块，而且还包括热载流子效应和TDDB效应的综合模拟以及上述三种失效机理的综合模拟模块。

关键词： MOS器件 可靠性模拟 综合模拟 热载流子效应

作者: 罗宏伟 孔学东 钟征宇 谭超元

作者单位: 信息产业部电子第五研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十届学术年会

会议地点: 大同

会议语种:中文

页码: 241～245

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）