AlGaN/GaN双异质结HEMT的高温工作性能

摘要：

描述了AlGaN/GaN双异质结HEMT在室温，300℃和500℃下的工作性能。栅长为1.5-1.75μm、沟道长度为3μm器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下、300℃和500℃下的数值分别为1100mA/mm 270mS/mm，500mA/mm 120mS/mm和120mA/mm 70mS/mm在室温下夹断点附近 的漏源击穿电压为80V。

关键词： GaN材料 双异质结 高温性能

作者: 吕长志 冯士维 王东观 谢雪松 松小玲 张迪 何焱

作者单位: 北京工业大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十届学术年会

会议地点: 大同

会议语种:中文

页码: 129～181

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）