TiAl和TiPtAu栅GaAs MESFET可靠性实验研究

摘要：

在高温和大栅电流下，我们对TiAl栅和TiPtAu栅MESFETs性能退化进行了比较研究。

关键词： GaAs MESFET性能可靠性 退化 微波高速通讯系统 电子器件

作者: 张万荣 李志国 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地

作者单位: 北京工业大学电子工程系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 嘉峪关

会议语种:中文

页码: 103-107

在线出版日期: 1999-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）