GaAs MESFET栅极漏电流退化机理分析和新筛选方法研究
高温存储式验后某种GaAs MESFET的栅－漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机 理，测定了试验前后栅－漏极低压正向电流随温度的变化，定性估计了试验前后复合－产生中心浓芳的变化，确定肖特基势垒接触有源层的复合－产生中心浓度增加是两种漏电流增大的原因，为高温下GaAs MESFET的消特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据。根据 栅－漏极低压正向电流随温度变化，该文还初步研究了一种筛选肖特基势垒接触的新方法。
栅极漏电极 失效分析 肖特基势垒接触 电流密度
黄云 费庆宇
信息产业部电子第五研究所
国内会议
大同
中文
192～198
2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）