TiAl、TiPtAu栅GaAs MESFET的栅退化机理研究

摘要：

该文针对GaAs MESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象，设计了TiAl栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试验，通过对试验和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析，确定了栅寄生并联电阻的退化是导致器件的跨导gm、饱和漏电流Is、夹断电压Vp等特性退化，甚至导致器件烧毁失效的主要原因。

关键词： 栅关联电阻 电流密度 通化机理 失效分析

作者: 黄云 费庆宇

作者单位: 信息产业部电子第五研究所(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十届学术年会

会议地点: 大同

会议语种:中文

页码: 187～191

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）