探索用静态小电流参数表征CMOS电路的静电放电（ESD）潜在损伤

摘要：

探索用静态小电流参数对CMOS电路ESD潜在损伤进行分析诊断，给出受ESD潜在损伤电路静态小电流参数变化的一些特征，对用静态小电流参数变化表征潜在损伤器件的条件和局限性进行了讨论。

关键词： ESD 潜在损伤 静态小电流 CMOS电路

作者: 来萍 刘发

作者单位: 信产部电子五所(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 嘉峪关

会议语种:中文

页码: 42-46

在线出版日期: 1999-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）