一种新型的单引出端EBIC成像技术
该文从晶体管的原理入手，详细介绍了这种国外刚提出的新型的单引出端的EBIC的衬度机理以及用这种新技术来做大规模集成电路的失效分析。这种新技术是把集成电路的初底引接到样品电流放大器的输入端，而做出来的EBIC像。用这种新的成像技术可以同时看到大区域不同层次势垒区的EBIC模式，它克服了传统的EBIC成像模式仅仅只能看到所接入到放大器回路中势垒区的EBIC像，而且还能弥补传统的EBIC模式中的其它一些不足，特别是在失效分析中，当用传统EBIC无法连接时，这种新的EBIC成像技术则显示出独特的优越性。
衬度机理 失效分析 成像技术
施明哲 费庆宇
510610信息产业部电子第五研究所
国内会议
大同
中文
223～229
2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）