碳化硅器件及其应用

摘要：

作为宽带半导体材料的SiC及其器件制造技术近年来得到迅速发展。与其它半导体材料相比，SiC独特的热特性和电特性，在功率和频率性能方面具有很高的品质因数。SiC还适应高温和辐射环境。该文主要叙述SiC材料的特性、器件制作技术及其应用。

关键词： 碳化硅 半导体器件 宽带半导体材料

作者: 盛柏桢 程文芳

作者单位: 南京电子器件研究所(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 首届全国电子元器件应用技术研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 85～91

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）