在CMOS VLSI输入保护电路中ESD损伤的缺陷分析

摘要：

本文以1.2u双层铝CMOS大规模集成电路中最常用的一种输入保护形式为例、对LDD（轻掺杂漏），MDD（中等掺杂漏）和DDD（双扩散漏）器件结构及抗静电能力进行了进一步的实验研究。三种器件对ESD的敏感性进行了比较。利用特定的解理、腐蚀、染色技术，并用场发射扫描电镜（SEM FEG）拍出了三种不同器件纵向结构的剖面照片。

关键词： CMOS集成电路 ESD损伤 扫描电镜

作者: 贾淑文 何卫 葛岩 张东明 李兴鸿

作者单位: 北京微电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 嘉峪关

会议语种:中文

页码: 56-61

在线出版日期: 1999-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）