MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

摘要：

基于MOSFET热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔI＜，ds＞/I＜，ds0＞、I＜，sub＞等实测数据的拟合处理，本文发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型；进而由自动测试ATE与CAD技术相结合的监测系统，实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度L＜，c＞和寿命因子H、m、n提取。实验研究结果表明，模型及提取参数合理可信，并可进一步应用于MOSFET及其电路的退化/寿命模拟预测。

关键词： 热载流子退化/寿命 电应力

作者: 于奇 王向展 陈勇 刘玉奎 肖兵 杨沛锋 方朋 杨谟华 谭超元

作者单位: 电子科技大学微电子科学与工程系(成都) 广州可靠性技术研究所(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 嘉峪关

会议语种:中文

页码: 13-18

在线出版日期: 1999-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）