Si-Al丝键合强度退化机理研究

摘要：

经受不同的试验后，半导体器件的键合强度将发生不同程度的变化。该文介绍了单片IC中国产和进口Si-Al丝键合强度退化情况，通过对其退化机理的研究，表明Si-Al键合金强度的退化率与Si-Al丝中的Fe含量直接相关。

关键词： 键合强度 退化机理 Si-Al丝 铁含量

作者: 刘学如 陈光炳 葛良兵 许爱群 赵光辉

作者单位: 信息产业部电子第二十四研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十届学术年会

会议地点: 大同

会议语种:中文

页码: 199～202

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）