SiGe异质结双极晶体管基区杂质外扩及缓冲层优化

摘要：

利用ISE-TCAD软件对SiGe HBT基区杂质外扩对器件性能的影响和Si和GeSi本征层对基区杂质外扩的阻挡作用、差异和优化进行了模拟，建立了SiGe HBT基区杂质外扩模型，并从实验上证实了模型的正确性。

关键词： 基区杂质外扩 双极晶体管 缓冲层

作者: 李志国 汪东 张万荣

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十届学术年会

会议地点: 大同

会议语种:中文

页码: 174～178

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）