GaAs MESFET的红外温度分布精确测量

摘要：

该文利用美国RM-50红外微热像仪的最佳技术性能。采用校准和外推的方法。成功地 精确测量了栅长1微米GaAs MESFET的沟道温度分布。

关键词： 半导体芯法 表面温度 热性能测量 沟道温度分布

作者: 程尧海 李志国 孙英华 张万荣 吕长志

作者单位: 北京工业大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十届学术年会

会议地点: 大同

会议语种:中文

页码: 216～222

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）