高频C—V法在肖特基势垒接触退化失效分析中的应用

摘要：

GaAs MESFET的栅极肖特基势垒接触退化的主要失效机理是栅金属下沉和栅金属扩散，因而引起有效沟道宽度减小或沟道掺杂浓度的下降。笔者用高频C—V法测定试验前后沟道载流子浓度随深度分布的变化，可获得栅金属下沉和栅金属扩散的信息，为肖特基接触退化的失效分析提供了一种有效的方法。

关键词： 高频C—V法 肖特基接触退化 栅金属

作者: 费庆宇

作者单位: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所(广州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 嘉峪关

会议语种:中文

页码: 8-12

在线出版日期: 1999-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）