Effects of Metastable Crystallization of Ge2Sb2Te5 Thin Films and Scaled Contact Dimension on Phase Change Random Access Memory

会议类型: 国际会议

会议名称: The International Conference on Electrical Engineering 2005(2005年ICEE国际电力学术会议)

会议地点: 昆明

会议语种:英文

在线出版日期: 2005-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）