Cr/CdZnTe接触中低肖特基势垒的形成机制

摘要：

　　电极材料的接触特性对于碲锌镉(CdZnTe)半导体核辐射探测器具有重大意义.接触界面的肖特基势垒大小很大程度上影响了器件的光电及探测性能.理想的电极材料应与CdZnTe形成具有较低肖特基势垒的接触.本文用同步辐射光电子能谱研究了在P型CdZnTe表面原位生长不同厚度金属C耐接触界面的电子结构.我们在Cr沉积的过程中观察到强烈的界面化学反应和扩散现象.Te原子因此扩散到表面并参与形成了一种新的界面结构Te/Cr/CdZnTe,界面接触势垒因此降低了0.34eV.本文运用界面扩散和偶极层理论详细论证了界面结构演变对肖特基势垒的影响机制,并证明了对于P型半导体,低功函数金属仍然可以与之形成具有低势垒的接触.

关键词： CdZnTe Cr 同步辐射光电子能谱 偶极层 肖特基势垒

作者: 席守智 介万奇 查钢强 张文华 朱俊发 白旭旭 冯涛 王宁 杨帆 杨睿

作者单位: 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥230029 上海交通大学人工结构及量子调控教育部重点实验室,上海200240

会议类型: 国际会议

会议名称: 第13届全国博士生学术年会——新材料专题

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 377-382

在线出版日期: 2015-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）