CVD法生长的石墨烯晶畴的氢气刻蚀
我们利用化学气相沉积法(CVD)在抛光Cu衬底上制备出六角单晶石墨烯晶畴，发现在高温下石墨烯晶畴能够被氨气刻蚀出条纹结构，通过电子背散射衍射(EBSD)测试，发现刻蚀条纹的形态与Cu衬底的晶向有关。通过对转移后的石墨烯进行原子力显微镜(AFM)测试，我们证明了石墨烯表面上的刻蚀条纹是由于在降温过程中，石墨烯表面形成的褶皱在高温氢气气氛下，发生氢化反应引起的。氢气刻蚀实验证明了即使在六角单晶石墨烯晶畴上也存在褶皱和点缺陷。本文提供了一种便捷的方法来观察石墨烯上褶皱的分布与形态。
石墨烯 CVD 褶皱 刻蚀
王彬 胡礼中
大连理工大学物理与光电工程学院,中国大连,116024
国际会议
昆明
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2014-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）