溅射Cu-Sb合金预制层后硫化法制备铜锑硫薄膜的及其性能研究
采用双靶共溅射制备Cu-Sb合金预制层后硫化法制备铜锑硫(CuSbS2)溥膜,研究了溅射功率对合金成分的影响,并采用X射线能量色散谱、扫描电镜、X射线衍射和紫外-可见-近红外分光光度计等对硫化后薄膜进行表征,同时制各了CuSbS2太阳电池器件并对其输出特性进行了表征和分析.结果表明,三元CuSbS2相是通过预制层中金属被硫化生成的二元硫化物CuS和Sb2S3相互反应形成.在400℃下硫化退火可制得结晶质量良好、表面致密的CuSbS2薄膜,其带隙宽度为1.46 eV,并在可见光区具有大于5×104 cm-1的光吸收系数.制作的gla ss/M o/CuSbSJCdS/i-ZnO/ZnO∶Al/Ag薄膜太阳电池器件在AM 1.5G、100mW/cm2下测试,获得的开路电压和短路电流密度分别达到150mV和1.29mA/cm2.
CuSbS2薄膜 磁控溅射 Cu-Sb合金 光学性质
赵联波 张坤 陈志伟 秦勤 蒋良兴 刘芳洋 赖延清 李劼 刘业翔
中南大学冶金与环境学院,长沙410083 中南大学冶金与环境学院,长沙410083;新南威尔士大学光伏与可再生能源工程学院,悉尼,2052
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昆明
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23-34
2014-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）