高质量ZnO单晶薄膜的生长及其紫外探测器的研究
本文利用MgO和低温ZnO的缓冲层技术在c面的蓝宝石衬底上用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法生长了高质量的ZnO单晶薄膜.通过XRD测试,ZnO薄膜样品具有c轴方向的择优取向,其(002)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)仅为68.4弧秒,(102)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)为1150弧秒,显示了外延薄膜极高的晶体质量.另外从扫描电子显微和原子力显微测试来看,ZnO薄膜具有极为平整的表面,3×3 μm面积内的均方根粗糙度仅为0.45 nm,基本达到了原予级的平整.拉曼光谱(Raman)和荧光光谱(PL)的测试结果显示,ZnO薄膜样品内部的应力基本释放,而且具有极低的点缺陷密度.基于高质量ZnO单晶薄膜的基础上,我们制各了高性能的ZnO基MSM结构紫外探测器,探测器在3V偏压下的电流仅为0.4 μA,25V偏压下的光响应度达到了19 A/W,显示了较高的光电性能.
缓冲层 高质量 应力 缺陷 探测器
苏龙兴 祝渊 陈明明 季旭 赵呈春 苏宇泉 关钊允 陈安琪 吴艳雁 桂许春 汤子康
中山大学物理科学与工程技术学院,广州,510275 中山大学物理科学与工程技术学院,广州,510275;香港科技大学物理系,香港
国际会议
昆明
中文
35-43
2014-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）