热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级
熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe或者CZT)晶体中存在着很多缺陷，这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级，从而严重影响CZT的探测性能.分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC)，从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布.结果表明：由于重叠峰的干扰，初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差；而SIMPA法被证实适用于分离重叠峰，可同步获得较全面的陷阱能级分布.基于此，获得了半绝缘CZT：In晶体的缺陷能级分布结果，即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级EDD.此外，通过EDD能级与费米能级的关系，解释了CZT：In晶体获得高阻特性的原因.
Cd 1-xZnxTe 陷获 深能级 热激电流谱
南瑞华 介万奇 查钢强 白旭旭 王蓓 于晖
西北工业大学材料科学与工程学院学院凝固技术国家重点实验室,西安710072 上海交通大学物理系人工结构及量子调控教育部重点实验室,上海200240 空军工程大学理学院,西安710051
国际会议
上海
英文
443-447
2012-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）