Bonding and gap states at GaAs-oxide interfaces

摘要：

The nature of bonding and possible causes of Fermi level pinning at high mobility, high K GaAs:HfO2 FET interfaces is described.

作者: John Robertson

作者单位: Engineering Dept, Cambridge University, Cambridge CB2 1PZ, UK

会议类型: 国际会议

会议名称: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第十届固态和集成电路技术国际会议 ICSICT-2010)

会议地点: 上海

会议语种:英文

页码: 1311-1314

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）