Resistivity and field electron emission of nanowires formed by electron beam induced chemical vapor deposition
运用电子束诱导沉积技术在钨针尖表面沉积钨纳米线。在透射电子显微镜中,原位测量单根纳米线的电阻与场发射特性,并观察其显微结构变化。样品台为特制的电性能测试样品台,包插步进电机和压电陶瓷驱动的装置。导电铜片作为与纳米线相对的另一极。自行设计制作锁相放大器电路测量纳米线的电阻。结果表明,纳米线的电阻为1×10-1Ω·m - 1×10-3Ω·m量级。纳米线头部的几何缺陷将影响其场发射特性。纳安级电流装改变纳米线头部的几何结构与微观结构。场发射开启电压比结构变化前底11V左右。我们的结构对于利用纳米线材料构建纳米电子器件具有重要意义。
nanorods transmission electron microscope deposition field emission
车仁超 梁重云 周新贵 施洪龙 冯坚 李建奇
中国科学院物理研究所,北京国家凝聚态物理国家实验室,北京,1000080;国防科技大学航天与材料工程学院,湖南省长沙市,410073 中国科学院物理研究所,北京国家凝聚态物理国家实验室,北京,1000080 国防科技大学航天与材料工程学院,湖南省长沙市,410073
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2007-11-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)