采用单根CdS 纳米带/线制备的耗尽型/增强型场效应晶体管

摘要：

研制了单根CdS纳米带/线金属-半导体场效应晶体管(MESFETs)。单根CdS纳 米带MESFETs表现为n沟道耗尽型(常开型)。具有低阈值电压(～-1.56 V), 高跨导 (～3.5 μS), 低亚阈值摆幅(～45 mV/dec), 和很高的电流开关比(～2′108)。单根 CdS纳米线MESFETs表现为n沟道增强尽型(常关型)。具有低阈值电压(～ 0.18 V)， 电流开关比约为5′103。我们还采用单根CdS纳米带制备了金属-绝缘层-半导体 场效应晶体管(MISFETs)，并发现在CdS纳米带上附加一层额外的金肖特基接触 层可以使该MISFETs的阈值电压绝对值从原先的12.5 V减小到0.4 V, 同时跨导从 原先的0.2 μS增加为3.2 μS。从能带图上对该现象进行了解释。

关键词： 1. CdS 2. 纳米带/线 3.MISFET 4. 肖特基结 5. MESFET

作者: 马仁敏 戴伦 杨卫全 徐万劲 乔永平 秦国刚

作者单位: 北京大学物理学院,北京 100871,China 北京大学物理学院,北京100871,China;北京大学人工微结构和介观物理重点实验室 100871 北京大学物理学院,北京 100871,China;北京大学人工微结构和介观物理重点实验室 100871

会议类型: 国际会议

会议名称: 第六届中国国际纳米科技研讨会

会议地点: 成都

会议语种:中文

在线出版日期: 2007-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）