Fabrication and characterization of nano-wire/belt field effect transistors

摘要：

1.1 理想的MOS二极管 MOS二极管的透视结构如图1(a)所示.图1(b)为其剖面结构,其 中d为氧化层的厚度,而V为施加于金属平板上的电压.在本节 中,当金属平板相对于欧姆接触为正偏压时,V为正值;而当金 属平板相对于欧姆接触为负偏压时,V为负值.

作者: 戴伦

作者单位: 北京大学物理学院

会议类型: 国际会议

会议名称: 2007年纳米电子器件研讨会(Nano-Electron Device Workshop)

会议地点: 北京

会议语种:英文

页码: 290-310

在线出版日期: 2007-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）