Growth of InAs nanostructures by droplet epitaxy

摘要：

The authors report the growth evolution of InAs dots and rings with the indium deposition amount on GaAs by droplet molecular beam epitaxy. There is a critical deposition amount to form dots and rings, respectively.

作者: C.Zhao Y.H.Chen B.Xu Z.G.Wang

作者单位: Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O.Box 912, Beijing 100083, China

会议类型: 国际会议

会议名称: 2007年纳米光电子学国际学术会议

会议地点: 兰州·北京

会议语种:英文

页码: 204-205

在线出版日期: 2007-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）