Effects of Buffer Layer on Hetero-Epi-Growth of SiCGe on 6H-SiC

会议类型: 国际会议

会议名称: The 3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-3)(第三届亚洲晶体生长与技术会议)

会议地点: 北京

会议语种:英文

页码: 19-22

在线出版日期: 2005-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）