Effect of facet reflectivities on high-power highly strained InGaAs quantum-well diode Lasers Operating at 1.2 μm

会议类型: 国际会议

会议名称: 第二十届国际光学大会（ICO）

会议地点: 长春

会议语种:英文

在线出版日期: 2005-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）