ZnTe:Cu多晶薄膜的结构与反常电导温度行为研究

摘要：

室温下共蒸发沉积的ZnTe:Cu多晶薄膜存在反常电导温度行为.对刚沉积ZnTe:Cu多晶薄膜的暗电导温度行为,及不同温度退火处理后样品的结构进行了研究.用热场发射晶界势垒模型解释了实验结果.刚沉积的ZnTe:Cu多晶薄膜,铜原子主要存在于晶粒间界.随温度增加,铜原子离化并进入晶粒内部,导致ZnTe:Cu立方相→六方相→立方相的结构转变和类Cu<,1.44>Te正交相的形成.铜原子离化使受主浓度增加,因而使晶界势垒相应变化,这两种机制共同决定了ZnTe:Cu多晶薄膜的反常电导温度行为.

关键词： ZnTe Cu多晶薄膜 相变 电输运 反常电导温度行为 欧姆接触背电极 薄膜太阳电池 P型重掺杂

作者: 张静全 贵州师范大学物理系(贵阳) 武莉莉 邵烨 周心明 冯良桓 蔡伟 郑家贵 J.Tang 蔡亚平 黎兵

作者单位: 四川大学材料科学系(四川成都) Physics Department,Colorado School of Mines,Colorado,USA

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第六届光伏会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 119-123

在线出版日期: 2000-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）