Ｎ－Ｓｉ（００１）上反应溅射生长高质量的ＺｎＯ

摘要：

采用直流反应磁控溅射法、室温下在Ｎ－Ｓｉ（００１）上外廷生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ表明已得到ＺｎＯ（０００２）的高度Ｃ－轴单一取向的结果。ＸＲＣ则表明在一批样品上ＦＷＨＭ＜１．１°。这优于国内外溅射法同行得到的约２°的最佳结果。而且生长温度及薄膜厚度还低于同行的相应参数。

关键词： ＺｎＯ 直流反应磁控溅射 ＸＲＣ

作者: 姚振钰 张建辉 刘志凯 贺洪波

作者单位: 科学院半导体材料科学实验室(北京) 科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 443～446

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）